NMOS contre PMOS
Un FET (Field Effect Transistor) est un dispositif commandé en tension où sa capacité de transport de courant est modifiée en appliquant un champ électronique. Un type de FET couramment utilisé est le FET à semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET). Les MOSFET sont largement utilisés dans les circuits intégrés et les applications de commutation à grande vitesse. Les MOSFET fonctionnent en induisant un canal conducteur entre deux contacts appelés source et drain en appliquant une tension sur l'électrode de grille isolée à l'oxyde. Il existe deux principaux types de MOSFET appelés nMOSFET (communément appelé NMOS) et pMOSFET (communément appelé PMOS) en fonction du type de porteurs circulant dans le canal.
Qu'est-ce que NMOS ?
Comme mentionné précédemment, NMOS (nMOSFET) est un type de MOSFET. Un transistor NMOS est composé d'une source et d'un drain de type n et d'un substrat de type p. Lorsqu'une tension est appliquée à la grille, les trous dans le corps (substrat de type p) sont éloignés de la grille. Cela permet de former un canal de type n entre la source et le drain et un courant est transporté par des électrons de la source au drain à travers un canal induit de type n. Les portes logiques et autres dispositifs numériques implémentés à l'aide de NMOS sont dits avoir une logique NMOS. Il existe trois modes de fonctionnement dans un NMOS appelés coupure, triode et saturation. La logique NMOS est facile à concevoir et à fabriquer. Mais les circuits avec des portes logiques NMOS dissipent l'énergie statique lorsque le circuit est au repos, car le courant continu traverse la porte logique lorsque la sortie est faible.
Qu'est-ce que le PMOS ?
Comme mentionné précédemment, le PMOS (pMOSFET) est un type de MOSFET. Un transistor PMOS est composé d'une source et d'un drain de type p et d'un substrat de type n. Lorsqu'une tension positive est appliquée entre la source et la grille (tension négative entre la grille et la source), un canal de type p se forme entre la source et le drain avec des polarités opposées. Un courant est transporté par des trous de la source au drain à travers un canal de type p induit. Une haute tension sur la grille empêchera un PMOS de conduire, tandis qu'une basse tension sur la grille le fera conduire. Les portes logiques et autres dispositifs numériques implémentés à l'aide de PMOS sont dits avoir une logique PMOS. La technologie PMOS est peu coûteuse et offre une bonne immunité au bruit.
Quelle est la différence entre NMOS et PMOS ?
NMOS est construit avec une source et un drain de type n et un substrat de type p, tandis que le PMOS est construit avec une source et un drain de type p et un substrat de type n. Dans un NMOS, les porteurs sont des électrons, tandis que dans un PMOS, les porteurs sont des trous. Lorsqu'une haute tension est appliquée à la grille, le NMOS conduira, tandis que le PMOS ne le sera pas. De plus, lorsqu'une basse tension est appliquée dans la grille, le NMOS ne conduira pas et le PMOS conduira. Les NMOS sont considérés comme plus rapides que les PMOS, car les porteurs du NMOS, qui sont des électrons, voyagent deux fois plus vite que les trous, qui sont les porteurs du PMOS. Mais les appareils PMOS sont plus insensibles au bruit que les appareils NMOS. De plus, les CI NMOS seraient plus petits que les CI PMOS (qui offrent la même fonctionnalité), puisque le NMOS peut fournir la moitié de l'impédance fournie par un PMOS (qui a la même géométrie et les mêmes conditions de fonctionnement).
