BJT contre IGBT
BJT (Bipolar Junction Transistor) et IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sont deux types de transistors utilisés pour contrôler les courants. Les deux appareils ont des jonctions PN et une structure d'appareil différente. Bien que les deux soient des transistors, ils présentent des différences significatives de caractéristiques.
BJT (transistor à jonction bipolaire)
BJT est un type de transistor qui se compose de deux jonctions PN (une jonction réalisée en connectant un semi-conducteur de type p et un semi-conducteur de type n). Ces deux jonctions sont formées en connectant trois pièces semi-conductrices dans l'ordre P-N-P ou N-P-N. Par conséquent, deux types de BJT, appelés PNP et NPN, sont disponibles.
Trois électrodes sont connectées à ces trois parties semi-conductrices et le conducteur du milieu est appelé "base". Les deux autres jonctions sont « émetteur » et « collecteur ».
Dans BJT, le courant du grand émetteur collecteur (Ic) est contrôlé par le courant du petit émetteur de base (IB), et cette propriété est exploitée pour concevoir des amplificateurs ou des commutateurs. Par conséquent, il peut être considéré comme un appareil piloté par le courant. Le BJT est principalement utilisé dans les circuits amplificateurs.
IGBT (transistor bipolaire à grille isolée)
IGBT est un dispositif semi-conducteur à trois bornes appelées "Emitter", "Collector" et "Gate". C'est un type de transistor, qui peut gérer une plus grande quantité de puissance et a une vitesse de commutation plus élevée, ce qui le rend très efficace. L'IGBT a été introduit sur le marché dans les années 1980.
IGBT a les caractéristiques combinées du MOSFET et du transistor à jonction bipolaire (BJT). Il est piloté par grille comme le MOSFET et a des caractéristiques de tension de courant comme les BJT. Par conséquent, il présente les avantages à la fois d'une capacité de traitement de courant élevée et d'une facilité de contrôle. Les modules IGBT (composés d'un certain nombre d'appareils) gèrent des kilowatts de puissance.
Différence entre BJT et IGBT
1. BJT est un dispositif piloté par le courant, alors que IGBT est piloté par la tension de grille
2. Les terminaux de l'IGBT sont connus sous le nom d'émetteur, de collecteur et de porte, tandis que le BJT est composé d'un émetteur, d'un collecteur et d'une base.
3. Les IGBT ont une meilleure tenue en puissance que les BJT
4. L'IGBT peut être considéré comme une combinaison de BJT et d'un FET (Field Effect Transistor)
5. IGBT a une structure de dispositif complexe par rapport à BJT
6. BJT a une longue histoire par rapport à IGBT
